在剛剛過去的4月，臺積電、三星、美光接連獲得美國政府資金補貼。據不完全統計，已經有7家半導體企業獲得美國政府資金補貼。
美國《芯片與科學法案》于2022年8月頒布，計劃撥款超過527億美元資金，用于扶持美國半導體研發、制造和勞動力發展。其中390億美元作為直接撥款，補貼給半導體生產廠商。
業內人士接受《中國電子報》記者采訪時表示，美方對本土芯片產業提供巨額補貼和稅收優惠，部分條款逼迫企業棄中就美，具有明顯的歧視性，嚴重違背了市場規律和國際經貿規則，將對全球半導體產業鏈造成扭曲。
美光獲61.4億美元補貼
當地時間4月25日，美國的計算機存儲芯片制造商美光科技宣布，將從美國聯邦政府獲得61.4億美元的直接資金，用于在紐約建設兩座DRAM晶圓廠，在愛達荷州新建一家DRAM晶圓廠。除61億美元的政府撥款外，美光也有資格獲得美國財政部的投資稅收抵免，這將為合格的資本投資提供25%的抵免。此外紐約州政府也將提供價值55億美元的激勵措施。
三星獲64億美元補貼
當地時間4月15日，美國商務部宣布，將向三星提供64億美元的直接補貼，支持該公司在得克薩斯州建設計算機芯片制造和研發產業集群。此外三星還計劃申請美國財政部的投資稅收抵免，預期能夠覆蓋合規資本支出的25%。
據悉，三星將對其位于得州奧斯汀的原有晶圓廠進行擴建，同時在奧斯汀東北方向的泰勒市新建兩座專注于大規模生產4nm和2nm工藝制程芯片的晶圓廠、一座研發工廠和一座先進封裝設施。
臺積電獲66億美元補貼
當地時間4月8日，美國商務部宣布，將向臺積電（TSMC）發放66億美元的直接資金補貼，并提供50億美元的低息政府貸款，用于支持臺積電在亞利桑那州新建設三座新的芯片廠。
臺積電透露，依進度規劃，亞利桑那州首座晶圓廠將于2025年上半年開始生產4納米制程芯片，第二座廠除了采用3納米技術，還將于2028年生產采用下一世代納米片（Nanosheet）晶體管結構的2納米制程芯片。至于第三座晶圓廠，預計將在21世紀20年代末（2029年至2030年）采用2納米或更先進的制程技術進行芯片生產。
英特爾獲85億美元補貼
當地時間3月20日，美國商務部和英特爾簽署非約束性的初步條款備忘錄，擬通過《芯片和科學法案》為英特爾提供85億美元的直接資金補貼和110億美元的聯邦貸款擔保，以推進其在亞利桑那州、新墨西哥州、俄亥俄州和俄勒岡州的商用半導體項目。其中，英特爾在俄亥俄州的新建晶圓廠將耗資逾200億美元，預計該廠將于2027年或2028年投產。據悉，俄亥俄州的工廠將生產人工智能芯片。
格芯獲15億美元補貼
當地時間2月19日，美國政府表示，將向Global Foundries（格芯）提供15億美元資金，以支持其在紐約州馬爾他興建新廠，并擴大當地與佛蒙特州伯靈頓（Burlington）既有的生產規模。此外，政府還將提供給格芯16億美元的貸款，終帶動投資在120億美元左右。
微芯獲1.62億美元補貼
當地時間1月4日，美國商務部宣布，向Microchip Technology（微芯）提供1.62億美元的政府補貼，以提高該公司芯片和微控制器（MCU）的產量。據悉，該筆補貼將分為兩個部分，部分約為9000萬美元，用于擴建Microchip Technology在美國科羅拉多州的一家制造工廠，第二部分約為7200萬美元，用于擴建在美國俄勒岡州的一家工廠。
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